19.01.2025

Rambus представила набор компонентов, который позволит выпускать память MRDIMM-12800 и RDIMM-8000

Компания Rambus объявила о выпуске наборов электронных SMD-компонентов, необходимых для производства модулей ОЗУ RDIMM и MRDIMM нового поколения для серверов. Наборы включают тактовые генераторы, драйверы для управления питанием и некоторые другие компоненты.

Rambus представила набор компонентов, который позволит выпускать память MRDIMM-12800 и RDIMM-8000

В представленный Rambus набор вошли следующие основные компоненты:

  • первый в отрасли регистрирующий тактовый генератор 5-го поколения (Registering Clock Driver, RCD), позволяющий модулям RDIMM работать со скоростью 8000 МТ/с;
  • мультиплексный регистрирующий тактовый генератор (MRCD) и мультиплексный буфер данных (MDB), позволяющие будущим модулям MRDIMM работать со скоростью до 12 800 MT/с за счёт удвоения пропускной способности DIMM сверх собственной скорости устройства DRAM;
  • серверный чип управления питанием второго поколения (PMIC5030), разработанная для модулей памяти DDR5 RDIMM-8000 и MRDIMM-12800, обеспечивающая сверхвысокий ток при низком напряжении для поддержки более высоких скоростей памяти и большего количества DRAM и логических микросхем на модуль.

В набор компонентов для производства серверной памяти RDIMM-8000 и MRDIMM-12800 также входят чипы Serial Presence Detect Hub (SPD) и температурный сенсор (TS).

Rambus представила набор компонентов, который позволит выпускать память MRDIMM-12800 и RDIMM-8000

Компания Rambus поясняет, что DDR5 MRDIMM-12800 использует новую конструкцию модуля, которая повышает скорость передачи данных и производительность системы за счёт мультиплексирования двух рангов DRAM, эффективно чередуя два потока данных. Это позволяет шине памяти хоста работать с удвоенной скоростью передачи данных собственных устройств DRAM, тем самым увеличивая пропускную способность при использовании тех же физических соединений DDR5 RDIMM. Для этого требуется чип MRCD, который может адресовать два ранга DRAM на альтернативных тактовых циклах, а также чипы MDB для направления потока данных к правильным микросхемам DRAM и от них. Для каждого модуля DDR5 MRDIMM-12800 требуется один MRCD и десять чипов MDB для мультиплексирования канала памяти. MRCD и MDB также будут поддерживать формфактор Tall MRDIMM с четырьмя рангами DDR5 DRAM для удвоения ёмкости двухрангового RDIMM.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *